Органические полевые транзисторы

Когда в 1987 году был впервые создан органический полевой транзистор (OFET), Intel 80386 был установленным микропроцессором дня с минимальной длиной канала 1,5 мкм и 275 000 транзисторов на площади 104 мм2. 25 лет спустя, 2 600 000 000 транзисторов современного 10-ядерного Intel Xeon сопровождаются минимальной длиной канала 32 нм в области 512 мм2.

Между тем, также были заметные успехи в широкомасштабной интеграции органических транзисторов. Недавние публикации продемонстрировали такие функции схемы, как 8-битные, 64-битные и 128-битовые метки радиочастотной идентификации (RFID) и 8-битные микропроцессоры с 3381 транзисторами на длине канала 5 мкм. Эти достижения, примерно сопоставимые с Intel 4004 1971 года, расширяют текущий охват интегрированных схем органических транзисторов, а также демонстрируют преимущества органических транзисторных технологий, таких как гибкость, низкотемпературное производство и обработка решений.

Для того, чтобы уменьшить часто недопустимое время и затраты на проектирование и изготовление кремниевых чипов, часто используются полустандартные и программируемые логические устройства, а не полные пользовательские конструкции с несколькими масками. В полунастраиваемых моделях маска, заданная для общего массива транзисторов, используется для частичного изготовления устройства, и для этого требуется только маска (или маски) последнего металлического слоя, которая настраивает функцию.

Таким образом, затраты на общие маски распределяются по всем приложениям, и только стоимость заключительной маски настройки является дополнительной. В качестве альтернативы, для программируемого устройства выполняется весь набор масок и изготавливается ПЛИС (CPLD) здесь, а затем настраиваемая функция программируется в конечном устройстве. Существует несколько способов выполнения программирования, таких как стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EPROM), электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EEPROM), статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) или противошумовое.

Понравилась полезная статья? Подпишитесь на RSS и получайте больше нужной информации!

Комментарии

Добавить новый RSS

Оставить комментарий
Имя:
Email:	не уведомлятьуведомлять
Тема:
	Пожалуйста, введите проверочный код, который Вы видите на картинке.

3.26 Copyright (C) 2008 Compojoom.com / Copyright (C) 2007 Alain Georgette / Copyright (C) 2006 Frantisek Hliva. All rights reserved."